製造商產品編號:
BSO200N03S
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
BSO200N03S-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
详细描述:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
庫存:
12848937
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BSO200N03S 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
OptiMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
7A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 10µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
6.5 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
840 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.56W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-DSO-8
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
BSO200N03S-DG
BSO200N03SXT
SP000077658
BSO200N03SINTR
BSO200N03SINCT
BSO200N03SINDKR
BSO200N03SFUMA1
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TSM180N03CS RLG
製造商
Taiwan Semiconductor Corporation
可用數量
4980
部件號碼
TSM180N03CS RLG-DG
單位價格
0.12
替代類型
MFR Recommended
部件編號
DMN3025LSS-13
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
0
部件號碼
DMN3025LSS-13-DG
單位價格
0.09
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IRF8707TRPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
27101
部件號碼
IRF8707TRPBF-DG
單位價格
0.14
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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