BSL308CL6327HTSA1
製造商產品編號:

BSL308CL6327HTSA1

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

BSL308CL6327HTSA1-DG

描述:

MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
详细描述:
Mosfet Array 30V 2.3A, 2A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6

庫存:

12826851
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

BSL308CL6327HTSA1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
OptiMOS™
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 (Vdss)
30V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
2.3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2V @ 11µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
500nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
275pF @ 15V
功率 - 最大值
500mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包
PG-TSOP6-6
基本產品編號
BSL308

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
BSL308CL6327HTSA1TR
BSL308C L6327
SP000473910
BSL308C L6327-DG

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

部件編號
DMG6602SVT-7
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
94237
部件號碼
DMG6602SVT-7-DG
單位價格
0.05
替代類型
MFR Recommended
部件編號
DMG6602SVTQ-7
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
112251
部件號碼
DMG6602SVTQ-7-DG
單位價格
0.07
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
相關產品
nexperia

2N7002PSZ

MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP

micro-commercial-components

2N7002V-TP

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563

micro-commercial-components

SIX3134K-TP

MOSFET 2N-CH 20V 0.75A SOT563

nexperia

2N7002PV,115

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666