製造商產品編號:
BSC082N10LSGATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
BSC082N10LSGATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
详细描述:
N-Channel 100 V 13.8A (Ta), 100A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
庫存:
6574 全新原裝現貨
12799427
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BSC082N10LSGATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
13.8A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.4V @ 110µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
7400 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
156W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TDSON-8-1
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
BSC082
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
5,000
其他名稱
BSC082N10LSGATMA1TR
BSC082N10LSGXT
SP000379609
BSC082N10LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC082N10LS GTR-DG
BSC082N10LS GDKR-DG
BSC082N10LS GCT-DG
BSC082N10LSGATMA1CT
BSC082N10LS G-DG
BSC082N10LSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC082N10LS GCT
BSC082N10LSG
BSC082N10LS G
BSC082N10LS GDKR
BSC082N10LSGATMA1DKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
CSD19533Q5A
製造商
Texas Instruments
可用數量
40791
部件號碼
CSD19533Q5A-DG
單位價格
0.52
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STL100N10F7
製造商
STMicroelectronics
可用數量
88704
部件號碼
STL100N10F7-DG
單位價格
0.98
替代類型
MFR Recommended
部件編號
CSD19533Q5AT
製造商
Texas Instruments
可用數量
651
部件號碼
CSD19533Q5AT-DG
單位價格
0.61
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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