製造商產品編號:
BSC050N03LSGATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
BSC050N03LSGATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
详细描述:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 80A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
庫存:
3088 全新原裝現貨
12799066
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
BSC050N03LSGATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
18A (Ta), 80A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.2V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2800 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TDSON-8-5
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
BSC050
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
5,000
其他名稱
BSC050N03LSGINCT
BSC050N03LS G
SP000269785
BSC050N03LSGATMA1INACTIVE
BSC050N03LSG
BSC050N03LS G-DG
BSC050N03LSGATMA1TR
BSC050N03LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC050N03LSGXT
BSC050N03LSGINDKR
BSC050N03LSGINTR-DG
Q3390169A
BSC050N03LSGINTR
BSC050N03LSGINCT-DG
BSC050N03LS GINACTIVE-DG
BSC050N03LSGINDKR-DG
BSC050N03LSGATMA1CT
BSC050N03LSGATMA1DKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
PSMN5R0-30YL,115
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
2980
部件號碼
PSMN5R0-30YL,115-DG
單位價格
0.29
替代類型
MFR Recommended
部件編號
RS1E200GNTB
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
2460
部件號碼
RS1E200GNTB-DG
單位價格
0.26
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
相關產品
BSS225L6327HTSA1
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
BSP135H6327XTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
AUIRF1010Z
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
