製造商產品編號:
BSC032NE2LSATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
BSC032NE2LSATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
详细描述:
N-Channel 25 V 22A (Ta), 84A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
庫存:
23504 全新原裝現貨
12799130
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
BSC032NE2LSATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
25 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
22A (Ta), 84A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1200 pF @ 12 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.8W (Ta), 78W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TDSON-8-6
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
BSC032
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
5,000
其他名稱
BSC032NE2LSCT
SP000854378
BSC032NE2LSDKR-DG
BSC032NE2LSCT-DG
BSC032NE2LS
BSC032NE2LS-DG
BSC032NE2LSATMA1DKR
BSC032NE2LSTR-DG
BSC032NE2LSATMA1CT
BSC032NE2LSATMA1TR
BSC032NE2LSDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
BSC014N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
BSS84PH6433XTMA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
BSR315PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 620MA SC59