BSC024NE2LSATMA1
製造商產品編號:

BSC024NE2LSATMA1

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

BSC024NE2LSATMA1-DG

描述:

MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
详细描述:
N-Channel 25 V 25A (Ta), 110A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

庫存:

5426 全新原裝現貨
12801895
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

BSC024NE2LSATMA1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
25 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
25A (Ta), 110A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 12 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TDSON-8-5
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
BSC024

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
5,000
其他名稱
BSC024NE2LSCT
BSC024NE2LSDKR
BSC024NE2LSCT-DG
BSC024NE2LSATMA1TR
BSC024NE2LSTR-DG
BSC024NE2LS
BSC024NE2LSDKR-DG
BSC024NE2LS-DG
SP000756342
BSC024NE2LSATMA1CT
BSC024NE2LSATMA1DKR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
infineon-technologies

BSC0904NSIATMA1

MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON

infineon-technologies

IPA65R1K5CEXKSA1

MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220

infineon-technologies

BSZ084N08NS5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON

infineon-technologies

IRFR4105ZTR

MOSFET N-CH 55V 30A DPAK