AUIRFP4310Z
製造商產品編號:

AUIRFP4310Z

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

AUIRFP4310Z-DG

描述:

MOSFET N-CH 100V 128A TO247AC
详细描述:
N-Channel 100 V 128A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

庫存:

12826110
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

AUIRFP4310Z 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
HEXFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
100 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
128A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 77A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 150µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
188 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
7120 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
278W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO247-3
包裝 / 外殼
TO-247-3

資料表及文件

HTML 資料表
資料表

額外資訊

標準套餐
25
其他名稱
INFIRFAUIRFP4310Z
SP001522702
2156-AUIRFP4310Z-IT

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IXTH200N10T
製造商
IXYS
可用數量
19
部件號碼
IXTH200N10T-DG
單位價格
4.48
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IXFX200N10P
製造商
IXYS
可用數量
0
部件號碼
IXFX200N10P-DG
單位價格
11.15
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
相關產品
micro-commercial-components

SIL3407-TP

MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-6L

nexperia

2N7002BKMB,315

MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3

nexperia

2N7002/HAMR

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB

nexperia

2N7002BKVL

MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB