製造商產品編號:
GT110N06S
Product Overview
製造商:
Goford Semiconductor
零件編號:
GT110N06S-DG
描述:
N60V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<1
详细描述:
N-Channel 60 V 14A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 8-SOP
庫存:
5028 全新原裝現貨
12974570
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GT110N06S 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Goford Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
SGT
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
14A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET 特性
Standard
功率耗散（最大值）
3W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-SOP
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
4,000
其他名稱
3141-GT110N06SDKR
3141-GT110N06SCT
3141-GT110N06STR
4822-GT110N06STR
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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