製造商產品編號:
G700P06J
Product Overview
製造商:
Goford Semiconductor
零件編號:
G700P06J-DG
描述:
MOSFET P-CH 60V 23A TO-251
详细描述:
P-Channel 23A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251
庫存:
13002595
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G700P06J 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Goford Semiconductor
包裝
-
系列
TrenchFET®
產品狀態
Active
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
23A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
Vgs （最大值）
±20V
FET 特性
Standard
功率耗散（最大值）
50W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-251
包裝 / 外殼
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
4822-G700P06J
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS non-compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 狀態
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI 認證
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