製造商產品編號:
G170P06M
Product Overview
製造商:
Goford Semiconductor
零件編號:
G170P06M-DG
描述:
MOSFET P-CH 60V 65A TO-263
详细描述:
P-Channel 60 V 65A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-263
庫存:
790 全新原裝現貨
13239090
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G170P06M 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Goford Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
65A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
6451 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
130W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
800
其他名稱
3141-G170P06MDKR
3141-G170P06MTR
3141-G170P06MCT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI 認證
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