製造商產品編號:
GPI65030DFN
Product Overview
製造商:
GaNPower
零件編號:
GPI65030DFN-DG
描述:
GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
详细描述:
N-Channel 650 V 30A Surface Mount Die
庫存:
100 全新原裝現貨
12997226
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GPI65030DFN 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
GaNPower
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
30A
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
6V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.2V @ 3.5mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
5.8 nC @ 6 V
Vgs （最大值）
+7.5V, -12V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
241 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
Die
包裝 / 外殼
Die
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
1
其他名稱
4025-GPI65030DFNTR
環境及出口分類
RoHS 狀態
Not applicable
濕氣敏感度等級 （MSL）
Vendor Undefined
REACH 狀態
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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