製造商產品編號:
FQP3N60C
Product Overview
製造商:
Fairchild Semiconductor
零件編號:
FQP3N60C-DG
描述:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
详细描述:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
庫存:
12946498
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FQP3N60C 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
包裝
-
系列
QFET®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
3A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
565 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
75W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
額外資訊
標準套餐
467
其他名稱
2156-FQP3N60C
ONSFSCFQP3N60C
環境及出口分類
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI 認證
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