製造商產品編號:
FDR8702H
Product Overview
製造商:
Fairchild Semiconductor
零件編號:
FDR8702H-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 3.6A SUPERSOT
详细描述:
Mosfet Array 20V 3.6A, 2.6A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8
庫存:
254870 全新原裝現貨
12817149
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FDR8702H 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
包裝
Bulk
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
20V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
3.6A, 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
10nC @ 4.5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
650pF @ 10V
功率 - 最大值
800mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
供應商設備包
SuperSOT™-8
基本產品編號
FDR87
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
398
其他名稱
FAIFSCFDR8702H
2156-FDR8702H
2156-FDR8702H-FSTR-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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