製造商產品編號:
FDP039N08B-F102
Product Overview
製造商:
Fairchild Semiconductor
零件編號:
FDP039N08B-F102-DG
描述:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
详细描述:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
庫存:
399 全新原裝現貨
12946533
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FDP039N08B-F102 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
包裝
Bulk
系列
PowerTrench®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
80 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
120A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
133 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
9450 pF @ 40 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
214W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
64
其他名稱
ONSONSFDP039N08B-F102
2156-FDP039N08B-F102ND
環境及出口分類
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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