FBG20N18BC
製造商產品編號:

FBG20N18BC

Product Overview

製造商:

EPC Space, LLC

零件編號:

FBG20N18BC-DG

描述:

GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
详细描述:
N-Channel 200 V 18A (Tc) Surface Mount 4-SMD

庫存:

115 全新原裝現貨
12997386
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FBG20N18BC 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
EPC Space
包裝
Bulk
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源電壓 (Vdss)
200 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
18A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 3mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (最大值)
+6V, -4V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
-
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
4-SMD
包裝 / 外殼
4-SMD, No Lead

額外資訊

標準套餐
154
其他名稱
4107-FBG20N18BC

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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