製造商產品編號:
FBG20N18BC
Product Overview
製造商:
EPC Space, LLC
零件編號:
FBG20N18BC-DG
描述:
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
详细描述:
N-Channel 200 V 18A (Tc) Surface Mount 4-SMD
庫存:
115 全新原裝現貨
12997386
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FBG20N18BC 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
EPC Space
包裝
Bulk
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源電壓 （Vdss）
200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
18A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 18A, 5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 3mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
+6V, -4V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
900 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
4-SMD
包裝 / 外殼
4-SMD, No Lead
額外資訊
標準套餐
154
其他名稱
4107-FBG20N18BC
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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