製造商產品編號:
ZXMN2A04DN8TC
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
ZXMN2A04DN8TC-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
详细描述:
Mosfet Array 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
庫存:
12905064
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ZXMN2A04DN8TC 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Diodes Incorporated
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
20V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
5.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
700mV @ 250µA (Min)
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
22.1nC @ 5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1880pF @ 10V
功率 - 最大值
1.8W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包
8-SO
基本產品編號
ZXMN2
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IRF7103TRPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
9567
部件號碼
IRF7103TRPBF-DG
單位價格
0.29
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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