製造商產品編號:
ZXMN10B08E6TC
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
ZXMN10B08E6TC-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
详细描述:
N-Channel 100 V 1.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
庫存:
12886447
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ZXMN10B08E6TC 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
1.6A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
9.2 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
497 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.1W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
SOT-26
包裝 / 外殼
SOT-23-6
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
10,000
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
ZXMN10B08E6TA
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
5553
部件號碼
ZXMN10B08E6TA-DG
單位價格
0.23
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
ZXMN10B08E6QTA
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
0
部件號碼
ZXMN10B08E6QTA-DG
單位價格
0.28
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
SI3442BDV-T1-E3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
26929
部件號碼
SI3442BDV-T1-E3-DG
單位價格
0.17
替代類型
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DIGI 認證
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