製造商產品編號:
ZXMN10A08DN8TC
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
ZXMN10A08DN8TC-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
详细描述:
Mosfet Array 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
庫存:
12905518
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
ZXMN10A08DN8TC 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Diodes Incorporated
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
100V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
1.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA (Min)
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
7.7nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
405pF @ 50V
功率 - 最大值
1.25W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包
8-SO
基本產品編號
ZXMN10
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
相關產品
ZXMN6A11DN8TC
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
ZXMC4559DN8TA
MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
ZXMD63P02XTC
MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP