製造商產品編號:
ZTX857QSTZ
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
ZTX857QSTZ-DG
描述:
PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR EP3 AM
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 3 A 80MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
庫存:
12979199
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ZTX857QSTZ 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Box (TB)
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
3 A
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
300 V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
250mV @ 600mA, 3A
電流 - 集電極截止（最大值）
50nA
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 500mA, 10V
功率 - 最大值
1.2 W
頻率 - 過渡
80MHz
工作溫度
-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
E-Line-3, Formed Leads
供應商設備包
E-Line (TO-92 compatible)
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
4,000
其他名稱
31-ZTX857QSTZTB
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI 認證
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