HBDM60V600W-7
製造商產品編號:

HBDM60V600W-7

Product Overview

製造商:

Diodes Incorporated

零件編號:

HBDM60V600W-7-DG

描述:

TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363

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HBDM60V600W-7 技術規格

類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極型晶體管陣列
製造商
Diodes Incorporated
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
1 NPN, 1 PNP
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
500mA, 600mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
65V, 60V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
電流 - 集電極截止（最大值）
100nA
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
功率 - 最大值
200mW
頻率 - 過渡
100MHz
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包
SOT-363
基本產品編號
HBDM60V600

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
HBDM60V600WDITR
HBDM60V600W7
HBDM60V600WDIDKR
HBDM60V600WDICT

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

部件編號
MMDT2227-TP
製造商
Micro Commercial Co
可用數量
0
部件號碼
MMDT2227-TP-DG
單位價格
0.05
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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