製造商產品編號:
DRDNB26W-7
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DRDNB26W-7-DG
描述:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50 V 600 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-363
庫存:
12888772
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DRDNB26W-7 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單一預偏壓雙極晶體管
製造商
Diodes Incorporated
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
NPN - Pre-Biased + Diode
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
600 mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
50 V
電阻器 - 基座 （R1）
220 Ohms
電阻器 - 發射極基極 （R2）
4.7 kOhms
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
47 @ 50mA, 5V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
電流 - 集電極截止（最大值）
500nA
頻率 - 過渡
200 MHz
功率 - 最大值
200 mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包
SOT-363
基本產品編號
DRDNB26
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
DRDNB26W7
DRDNB26WDIDKR
DRDNB26WDITR
DRDNB26WDICT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI 認證
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