製造商產品編號:
DMWS120H100SM4
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMWS120H100SM4-DG
描述:
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
详细描述:
N-Channel 1200 V 37.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-4
庫存:
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13001177
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DMWS120H100SM4 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源電壓 （Vdss）
1200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
37.2A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 15V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 5mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
52 nC @ 15 V
Vgs （最大值）
+19V, -8V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1516 pF @ 1000 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
208W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-4
包裝 / 外殼
TO-247-4
基本產品編號
DMWS120
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
31-DMWS120H100SM4
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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