製造商產品編號:
DMTH69M8LFVW-13
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMTH69M8LFVW-13-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
详细描述:
N-Channel 60 V 15.9A (Ta), 45.4A (Tc) 3.6W (Ta), 29.4W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
庫存:
13270062
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
DMTH69M8LFVW-13 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±16V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1925 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount, Wettable Flank
供應商設備包
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
包裝 / 外殼
8-PowerVDFN
基本產品編號
DMTH69
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
31-DMTH69M8LFVW-13TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
DMTH69M8LFVW-7
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
0
部件號碼
DMTH69M8LFVW-7-DG
單位價格
0.23
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
相關產品
DMT64M2LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI
DMPH2040UVTQ-7
MOSFET P-CH 20V 5.6/11.7A TSOT26
DMTH4001SPS-13
MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI
