製造商產品編號:
DMTH6004SCTBQ-13
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMTH6004SCTBQ-13-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
详细描述:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-263
庫存:
667 全新原裝現貨
12894614
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DMTH6004SCTBQ-13 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
100A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
95.4 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
4556 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
4.7W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
DMTH6004
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
800
其他名稱
DMTH6004SCTBQ-13DIDKR
DMTH6004SCTBQ-13DITR
DMTH6004SCTBQ-13DICT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPB029N06N3GATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
29422
部件號碼
IPB029N06N3GATMA1-DG
單位價格
0.82
替代類型
MFR Recommended
部件編號
BUK964R2-55B,118
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
4697
部件號碼
BUK964R2-55B,118-DG
單位價格
1.46
替代類型
MFR Recommended
部件編號
PSMN3R0-60BS,118
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
4780
部件號碼
PSMN3R0-60BS,118-DG
單位價格
1.38
替代類型
MFR Recommended
部件編號
DMTH6004SCTB-13
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
790
部件號碼
DMTH6004SCTB-13-DG
單位價格
0.92
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
FDB029N06
製造商
Fairchild Semiconductor
可用數量
5208
部件號碼
FDB029N06-DG
單位價格
3.77
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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