製造商產品編號:
DMT6018LDR-13
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMT6018LDR-13-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
详细描述:
Mosfet Array 60V 8.8A (Ta) 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8
庫存:
19970 全新原裝現貨
12884136
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DMT6018LDR-13 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
-
漏源電壓 （Vdss）
60V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
13.9nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
869pF @ 30V
功率 - 最大值
1.9W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-PowerVDFN
供應商設備包
V-DFN3030-8
基本產品編號
DMT6018
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
10,000
其他名稱
31-DMT6018LDR-13DKR
DMT6018LDR-13-DG
31-DMT6018LDR-13TR
31-DMT6018LDR-13CT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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