製造商產品編號:
DMT6009LFG-7
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMT6009LFG-7-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
详细描述:
N-Channel 60 V 11A (Ta), 34A (Tc) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
庫存:
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DMT6009LFG-7 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
11A (Ta), 34A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±16V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1925 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PowerDI3333-8
包裝 / 外殼
8-PowerVDFN
基本產品編號
DMT6009
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,000
其他名稱
DMT6009LFG-7DIDKR
DMT6009LFG-7DITR
DMT6009LFG-7DICT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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