製造商產品編號:

DMT35M4LFDF4-7

Product Overview

製造商:

Diodes Incorporated

零件編號:

DMT35M4LFDF4-7-DG

描述:

MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN2020

详细描述:

N-Channel 30 V 12A (Ta) 910mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2020-6 (Type W)

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DMT35M4LFDF4-7 技術規格

類別

場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET

製造商

Diodes Incorporated

包裝

Tape & Reel (TR)

系列

-

產品狀態

Active

FET 類型

N-Channel

科技

MOSFET (Metal Oxide)

漏源電壓（Vdss）

30 V

電流 - 連續漏極（Id） @ 25°C

12A (Ta)

驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 20A, 10V

Vgs（th）（最大值） @ Id

2.5V @ 250µA

柵極電荷（Qg）（Max） @ Vgs

14.9 nC @ 10 V

Vgs （最大值）

±20V

輸入電容（Ciss）（Max） @ Vds

1009 pF @ 15 V

FET 特性

-

功率耗散（最大值）

910mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包

X2-DFN2020-6 (Type W)

包裝 / 外殼

6-PowerXDFN

基本產品編號

DMT35M4LF

資料表及文件

數據表

額外資訊

標準套餐

3,000

其他名稱

31-DMT35M4LFDF4-7TR

環境及出口分類

RoHS 狀態

ROHS3 Compliant

REACH 狀態

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI 認證

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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