DMT3011LDT-7

製造商產品編號:

DMT3011LDT-7

Product Overview

製造商:

Diodes Incorporated

零件編號:

DMT3011LDT-7-DG

描述:

MOSFET 2N-CH 30V 8A/10.7A 8VDFN

详细描述:

Mosfet Array 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)

庫存:

8665 全新原裝現貨

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DMT3011LDT-7 技術規格

類別

場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列

製造商

Diodes Incorporated

包裝

Tape & Reel (TR)

系列

-

產品狀態

Active

科技

MOSFET (Metal Oxide)

配置

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 特性

-

漏源電壓（Vdss）

30V

電流 - 連續漏極（Id） @ 25°C

8A, 10.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6A, 10V

Vgs（th）（最大值） @ Id

3V @ 250µA

柵極電荷（Qg）（Max） @ Vgs

13.2nC @ 10V

輸入電容（Ciss）（Max） @ Vds

641pF @ 15V

功率 - 最大值

1.9W

工作溫度

-55°C ~ 155°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝 / 外殼

8-VDFN Exposed Pad

供應商設備包

V-DFN3030-8 (Type K)

基本產品編號

DMT3011

資料表及文件

HTML 資料表

DMT3011LDT-7-DG

資料表

數據表

額外資訊

標準套餐

3,000

其他名稱

DMT3011LDT-7-DG

DMT3011LDT-7DICT

DMT3011LDT-7DITR

DMT3011LDT-7DIDKR

環境及出口分類

RoHS 狀態

ROHS3 Compliant

濕氣敏感度等級（MSL）

1 (Unlimited)

REACH 狀態

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI 認證

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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