製造商產品編號:
DMT3009LFVW-13
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMT3009LFVW-13-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
详细描述:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
庫存:
12884198
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DMT3009LFVW-13 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
12A (Ta), 50A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
3.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
823 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.3W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount, Wettable Flank
供應商設備包
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
包裝 / 外殼
8-PowerVDFN
基本產品編號
DMT3009
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
DMT3009LFVW-7
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
650
部件號碼
DMT3009LFVW-7-DG
單位價格
0.18
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
TPN8R903NL,LQ
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
5561
部件號碼
TPN8R903NL,LQ-DG
單位價格
0.22
替代類型
MFR Recommended
部件編號
TPH11003NL,LQ
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
2298
部件號碼
TPH11003NL,LQ-DG
單位價格
0.23
替代類型
MFR Recommended
部件編號
RQ3E120GNTB
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
11286
部件號碼
RQ3E120GNTB-DG
單位價格
0.14
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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