製造商產品編號:
DMT12H060LFDF-13
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMT12H060LFDF-13-DG
描述:
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
详细描述:
N-Channel 115 V 4.4A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
庫存:
12979165
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DMT12H060LFDF-13 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
115 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
4.4A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
7.8 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±8V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
475 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.1W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
U-DFN2020-6 (Type F)
包裝 / 外殼
6-UDFN Exposed Pad
基本產品編號
DMT12
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
10,000
其他名稱
31-DMT12H060LFDF-13TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
DMT12H060LFDF-7
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
783
部件號碼
DMT12H060LFDF-7-DG
單位價格
0.18
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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