DMT12H060LCA9-7
製造商產品編號:

DMT12H060LCA9-7

Product Overview

製造商:

Diodes Incorporated

零件編號:

DMT12H060LCA9-7-DG

描述:

MOSFET BVDSS: 101V~250V X4-DSN15
详细描述:
N-Channel 115 V 3.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount X2-DSN1515-9

庫存:

13002612
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DMT12H060LCA9-7 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Bulk
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
115 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
3.5A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 5 V
Vgs (最大值)
±5.5V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
560 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
1.1W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
X2-DSN1515-9
包裝 / 外殼
9-SMD, No Lead
基本產品編號
DMT12

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
31-DMT12H060LCA9-7

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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