製造商產品編號:
DMT12H060LCA9-7
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMT12H060LCA9-7-DG
描述:
MOSFET BVDSS: 101V~250V X4-DSN15
详细描述:
N-Channel 115 V 3.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount X2-DSN1515-9
庫存:
13002612
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
DMT12H060LCA9-7 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Bulk
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
115 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
3.5A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
8 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±5.5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
560 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.1W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
X2-DSN1515-9
包裝 / 外殼
9-SMD, No Lead
基本產品編號
DMT12
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
31-DMT12H060LCA9-7
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
SIHF085N60EF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU
NTMFS4C905NAT1G
TRENCH 6 30V NCH
DMN3061S-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
