製造商產品編號:
DMT10H9M9LCT
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMT10H9M9LCT-DG
描述:
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
详细描述:
N-Channel 100 V 101A (Tc) 2.3W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
庫存:
13000818
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DMT10H9M9LCT 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
101A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
40.2 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2309 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.3W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
DMT10
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
31-DMT10H9M9LCT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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