製造商產品編號:
DMS3016SFG-7
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMS3016SFG-7-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8
详细描述:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
庫存:
12883518
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DMS3016SFG-7 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
7A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 11.2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.2V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
44.6 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±12V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1886 pF @ 15 V
FET 特性
Schottky Diode (Body)
功率耗散（最大值）
980mW (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PowerDI3333-8
包裝 / 外殼
8-PowerVDFN
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
2,000
其他名稱
DMS3016SFG-7DITR
DMS3016SFG7
DMS3016SFG-7DICT
DMS3016SFG-7DIDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
部件編號
RQ3E100MNTB1
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
5261
部件號碼
RQ3E100MNTB1-DG
單位價格
0.40
替代類型
MFR Recommended
部件編號
RQ3E080BNTB
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
40431
部件號碼
RQ3E080BNTB-DG
單位價格
0.10
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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