DMNH10H028SK3-13
製造商產品編號:

DMNH10H028SK3-13

Product Overview

製造商:

Diodes Incorporated

零件編號:

DMNH10H028SK3-13-DG

描述:

MOSFET N-CH 100V 55A TO252
详细描述:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252-3

庫存:

12883414
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DMNH10H028SK3-13 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
100 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
55A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3.3V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
2245 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-252-3
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
DMNH10

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
2,500
其他名稱
DMNH10H028SK3-13DIDKR
DMNH10H028SK3-13DICT
DMNH10H028SK3-13DITR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
SUD35N10-26P-GE3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
1990
部件號碼
SUD35N10-26P-GE3-DG
單位價格
0.82
替代類型
MFR Recommended
部件編號
FDD3670
製造商
onsemi
可用數量
2496
部件號碼
FDD3670-DG
單位價格
1.04
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IXTY44N10T
製造商
IXYS
可用數量
0
部件號碼
IXTY44N10T-DG
單位價格
0.98
替代類型
MFR Recommended
部件編號
BUK7227-100B,118
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
6496
部件號碼
BUK7227-100B,118-DG
單位價格
0.66
替代類型
MFR Recommended
部件編號
AOD4126
製造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用數量
6316
部件號碼
AOD4126-DG
單位價格
0.35
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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