DMN90H8D5HCT
製造商產品編號:

DMN90H8D5HCT

Product Overview

製造商:

Diodes Incorporated

零件編號:

DMN90H8D5HCT-DG

描述:

MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
详细描述:
N-Channel 900 V 2.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3

庫存:

12949076
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

DMN90H8D5HCT 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
900 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
125W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
DMN90

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
50
其他名稱
DMN90H8D5HCT-DG
DMN90H8D5HCTDI

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STP2NK90Z
製造商
STMicroelectronics
可用數量
641
部件號碼
STP2NK90Z-DG
單位價格
0.76
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IXTP2N100
製造商
IXYS
可用數量
0
部件號碼
IXTP2N100-DG
單位價格
3.24
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IXTP2R4N120P
製造商
IXYS
可用數量
14
部件號碼
IXTP2R4N120P-DG
單位價格
3.25
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IXTP2N100P
製造商
IXYS
可用數量
136
部件號碼
IXTP2N100P-DG
單位價格
1.49
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
相關產品
diodes

DMTH4005SPS-13

MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060

goford-semiconductor

3401

MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23

goford-semiconductor

3401

MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23

goford-semiconductor

G6N02L

MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L