製造商產品編號:
DMN61D8LVT-13
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMN61D8LVT-13-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
详细描述:
Mosfet Array 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
庫存:
9150 全新原裝現貨
12901235
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DMN61D8LVT-13 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
60V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
0.74nC @ 5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
12.9pF @ 12V
功率 - 最大值
820mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包
TSOT-26
基本產品編號
DMN61
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
10,000
其他名稱
DMN61D8LVT-13DICT
DMN61D8LVT-13DITR-DG
DMN61D8LVT-13DITR
31-DMN61D8LVT-13DKR
DMN61D8LVT-13DIDKR-DG
31-DMN61D8LVT-13TR
DMN61D8LVT-13DICT-DG
DMN61D8LVT-13DIDKR
31-DMN61D8LVT-13CT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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