DMN3115UDM-7
製造商產品編號:

DMN3115UDM-7

Product Overview

製造商:

Diodes Incorporated

零件編號:

DMN3115UDM-7-DG

描述:

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26
详细描述:
N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-26

庫存:

12900131
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

DMN3115UDM-7 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
30 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1V @ 250µA
Vgs (最大值)
±8V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
476 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
900mW (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
SOT-26
包裝 / 外殼
SOT-23-6
基本產品編號
DMN3115

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
DMN3115UDMDIDKR
DMN3115UDMDITR
DMN3115UDM7
DMN3115UDMDICT

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
相關產品
diodes

DMT3003LFG-13

MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333

taiwan-semiconductor

TSM60NB380CH C5G

MOSFET N-CH 600V 9.5A TO251

taiwan-semiconductor

TSM2N60ECP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252

taiwan-semiconductor

TSM60N600CI C0G

MOSFET N-CH 600V 8A ITO220AB