製造商產品編號:
DMN3030LSS-13
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMN3030LSS-13-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
详细描述:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
庫存:
2492 全新原裝現貨
12903134
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DMN3030LSS-13 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
9A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.1V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
741 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-SO
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本產品編號
DMN3030
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
DMN3030LSS-13DIDKR
-DMN3030LSS-13DIDKR
DMN3030LSS-13DITR
DMN3030LSS-13DICT
DMN3030LSS-13-DG
-DMN3030LSS-13DICT
-DMN3030LSS-13DITR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
SI4800BDY-T1-E3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
4805
部件號碼
SI4800BDY-T1-E3-DG
單位價格
0.27
替代類型
MFR Recommended
部件編號
SI4178DY-T1-GE3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
2375
部件號碼
SI4178DY-T1-GE3-DG
單位價格
0.18
替代類型
MFR Recommended
部件編號
FDS6612A
製造商
Fairchild Semiconductor
可用數量
141427
部件號碼
FDS6612A-DG
單位價格
0.30
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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