DMN3018SFGQ-7
製造商產品編號:

DMN3018SFGQ-7

Product Overview

製造商:

Diodes Incorporated

零件編號:

DMN3018SFGQ-7-DG

描述:

MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
详细描述:
N-Channel 30 V 8.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

庫存:

12900704
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

DMN3018SFGQ-7 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
30 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
8.5A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.1V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±25V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
697 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
1W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PowerDI3333-8
包裝 / 外殼
8-PowerVDFN
基本產品編號
DMN3018

額外資訊

標準套餐
2,000

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
DMN3018SFG-7
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
2000
部件號碼
DMN3018SFG-7-DG
單位價格
0.10
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
DMN3018SFGQ-13
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
0
部件號碼
DMN3018SFGQ-13-DG
單位價格
0.13
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
DMN3018SFG-13
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
14765
部件號碼
DMN3018SFG-13-DG
單位價格
0.10
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
相關產品
diodes

BSS138TC

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

diodes

DMT4001LPS-13

MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8

taiwan-semiconductor

TSM230N06PQ56 RLG

MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM4NC50CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252