製造商產品編號:
DMN3009LFVW-13
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMN3009LFVW-13-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
详细描述:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
庫存:
12890507
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DMN3009LFVW-13 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
60A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2000 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount, Wettable Flank
供應商設備包
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
包裝 / 外殼
8-PowerVDFN
基本產品編號
DMN3009
額外資訊
標準套餐
3,000
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
DMN3009LFVW-7
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
8765
部件號碼
DMN3009LFVW-7-DG
單位價格
0.17
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
BSZ0589NSATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
4792
部件號碼
BSZ0589NSATMA1-DG
單位價格
0.36
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IRFH8325TRPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
3667
部件號碼
IRFH8325TRPBF-DG
單位價格
0.19
替代類型
MFR Recommended
部件編號
DMN3009LFVWQ-7
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
0
部件號碼
DMN3009LFVWQ-7-DG
單位價格
0.32
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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