製造商產品編號:
DMN2025U
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMN2025U-DG
描述:
DIODE
详细描述:
N-Channel 20 V 5.6A (Ta) 800mW Surface Mount SOT-23-3
庫存:
12974765
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
DMN2025U 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
-
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
20 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
5.6A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
900mV @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
5.9 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±12V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
485 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
800mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
SOT-23-3
包裝 / 外殼
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本產品編號
DMN2025
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
1
其他名稱
31-DMN2025U
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
相關產品
MMFTN3422K
MOSFET, SOT-23, 30V, 4.2A, 0, 1.
DI050N06D1
MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
PJD8NA50_L2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
