製造商產品編號:
DMN2013UFX-7
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMN2013UFX-7-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
详细描述:
Mosfet Array 20V 10A (Ta) 2.14W Surface Mount W-DFN5020-6
庫存:
12891987
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DMN2013UFX-7 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 特性
-
漏源電壓 （Vdss）
20V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.1V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
57.4nC @ 8V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2607pF @ 10V
功率 - 最大值
2.14W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-VFDFN Exposed Pad
供應商設備包
W-DFN5020-6
基本產品編號
DMN2013
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
DMN2013UFX-7DITR
DMN2013UFX-7DIDKR
DMN2013UFX-7DICT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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