製造商產品編號:
DMN2011UTS-13
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMN2011UTS-13-DG
描述:
MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP
详细描述:
N-Channel 20 V 21A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
庫存:
165 全新原裝現貨
12884833
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DMN2011UTS-13 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
20 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
21A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±12V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2248 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.3W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-TSSOP
包裝 / 外殼
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
基本產品編號
DMN2011
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
DMN2011UTS-13-DG
DMN2011UTS-13DICT
DMN2011UTS-13DIDKR
DMN2011UTS-13DITR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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