製造商產品編號:

DMN1032UCB4-7

Product Overview

製造商:

Diodes Incorporated

零件編號:

DMN1032UCB4-7-DG

描述:

MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

详细描述:

N-Channel 12 V 4.8A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount U-WLB1010-4

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DMN1032UCB4-7 技術規格

類別

場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET

製造商

Diodes Incorporated

包裝

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

系列

-

產品狀態

Obsolete

FET 類型

N-Channel

科技

MOSFET (Metal Oxide)

漏源電壓（Vdss）

12 V

電流 - 連續漏極（Id） @ 25°C

4.8A (Ta)

驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs（th）（最大值） @ Id

1.2V @ 250µA

柵極電荷（Qg）（Max） @ Vgs

4.5 nC @ 4.5 V

Vgs （最大值）

±8V

輸入電容（Ciss）（Max） @ Vds

450 pF @ 6 V

FET 特性

-

功率耗散（最大值）

900mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包

U-WLB1010-4

包裝 / 外殼

4-UFBGA, WLBGA

基本產品編號

DMN1032

額外資訊

標準套餐

3,000

其他名稱

DMN1032UCB4-7DIDKR

DMN1032UCB4-7DICT

DMN1032UCB4-7DITR

環境及出口分類

RoHS 狀態

ROHS3 Compliant

濕氣敏感度等級（MSL）

1 (Unlimited)

REACH 狀態

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

替代模型

部件編號

PMCM6501VNEZ

製造商

NXP USA Inc.

可用數量

2022638

部件號碼

PMCM6501VNEZ-DG

單位價格

0.19

替代類型

MFR Recommended

DIGI 認證

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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