製造商產品編號:
DMN1002UCA6-7
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMN1002UCA6-7-DG
描述:
MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
详细描述:
Mosfet Array 1.1W Surface Mount X4-DSN3118-6
庫存:
12902665
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
DMN1002UCA6-7 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 特性
-
漏源電壓 （Vdss）
-
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs（th） （最大值） @ Id
-
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
68.6nC @ 4V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
-
功率 - 最大值
1.1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-SMD, No Lead
供應商設備包
X4-DSN3118-6
基本產品編號
DMN1002
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
DMN1002UCA6-7DITR
DMN1002UCA6-7DICT
DMN1002UCA6-7DIDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
ZXMN6A09DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
ZXMN6A09DN8TC
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
ZXMC3AM832TA
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
