DMJ70H601SK3-13
製造商產品編號:

DMJ70H601SK3-13

Product Overview

製造商:

Diodes Incorporated

零件編號:

DMJ70H601SK3-13-DG

描述:

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
详细描述:
N-Channel 700 V 8A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

庫存:

12884524
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

DMJ70H601SK3-13 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
700 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
8A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
20.9 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
686 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
125W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-252 (DPAK)
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
DMJ70

額外資訊

標準套餐
75

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
TK560P65Y,RQ
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
4898
部件號碼
TK560P65Y,RQ-DG
單位價格
0.46
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STD8N60DM2
製造商
STMicroelectronics
可用數量
3630
部件號碼
STD8N60DM2-DG
單位價格
0.54
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IPD80R280P7ATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
10179
部件號碼
IPD80R280P7ATMA1-DG
單位價格
1.23
替代類型
Direct
部件編號
STD10NM60N
製造商
STMicroelectronics
可用數量
6369
部件號碼
STD10NM60N-DG
單位價格
1.17
替代類型
MFR Recommended
部件編號
SPD08N50C3ATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
12211
部件號碼
SPD08N50C3ATMA1-DG
單位價格
0.77
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
相關產品
diodes

DMG1012UW-7

MOSFET N-CH 20V 1A SOT323

diodes

DMP2109UVT-13

MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26

diodes

DMP2003UPS-13

MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8

diodes

DMPH4015SPS-13

MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8