DMJ70H600SH3
製造商產品編號:

DMJ70H600SH3

Product Overview

製造商:

Diodes Incorporated

零件編號:

DMJ70H600SH3-DG

描述:

MOSFET N-CH 700V 11A TO251
详细描述:
N-Channel 700 V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251

庫存:

12882196
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DMJ70H600SH3 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
700 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
11A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
643 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
113W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-251
包裝 / 外殼
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本產品編號
DMJ70

額外資訊

標準套餐
75

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
REACH 狀態
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IXTU8N70X2
製造商
IXYS
可用數量
64
部件號碼
IXTU8N70X2-DG
單位價格
1.71
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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