製造商產品編號:
DMJ65H430SCTI
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMJ65H430SCTI-DG
描述:
MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220A
详细描述:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole ITO220AB-N (Type HE)
庫存:
12986538
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DMJ65H430SCTI 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
14A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
775 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
ITO220AB-N (Type HE)
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
基本產品編號
DMJ65
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
31-DMJ65H430SCTI
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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