製造商產品編號:
DMG6601LVT-7
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMG6601LVT-7-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
详细描述:
Mosfet Array 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26
庫存:
61614 全新原裝現貨
12903704
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DMG6601LVT-7 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
30V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
3.8A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
12.3nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
422pF @ 15V
功率 - 最大值
850mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包
TSOT-26
基本產品編號
DMG6601
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
DMG6601LVT-7DICT
DMG6601LVT-7DITR
DMG6601LVT-7DIDKR
DMG6601LVT7
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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