DMG4N65CT
製造商產品編號:

DMG4N65CT

Product Overview

製造商:

Diodes Incorporated

零件編號:

DMG4N65CT-DG

描述:

MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
详细描述:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 2.19W (Ta) Through Hole TO-220-3

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DMG4N65CT 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
4A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
900 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.19W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
DMG4

額外資訊

標準套餐
50
其他名稱
DMG4N65CTDI

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STP5NK80Z
製造商
STMicroelectronics
可用數量
240
部件號碼
STP5NK80Z-DG
單位價格
0.85
替代類型
Direct
部件編號
IXTP4N80P
製造商
IXYS
可用數量
0
部件號碼
IXTP4N80P-DG
單位價格
1.10
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IRF820PBF
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
1744
部件號碼
IRF820PBF-DG
單位價格
0.47
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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